Новости12.01.2017 | После нового года красногорцам пришлось померзнуть
В первые дни нового года неприятный сюрприз ожидал более чем двенадцать тысяч жителей Подмосковного Красногорска, которые с удивлением обнаружили, что ...
28.09.2016 | Комиссия МАГАТЭ отправляется в Белоруссию
Стало известно, что вчера 27.09.2016 что по просьбе Белорусского руководства в страну прибывает комиссия МАГАТЭ. Данная информация поступила от Михаила ...
28.09.2016 | Отопительный сезон начинается по просьбам населения
Получено разрешение правительства России на введение в строй сезона отопления 2016-2017 годов по регионам, указание о включении отопления поступает ...
|
Toshiba решила запустить в производство флэш-память нового типа
Компания Toshiba начала строить новый цех, в котором планирует производить 3D-память. Данная новая технология сможет позволить увеличение емкостей накопителей в потребительских устройствах в разы. Начало выпуска намечается на 2015 г. Планируется, что в новом цеху будет производиться флэш-память NAND, используемая в сегодняшней потребительской электронике, корпоративных накопителях, а еще флэш-память, имеющая многоуровневую структуру (3D-память). Как считают в компании, спрос на 3D-память существенно возрастет в ближайшие годы. Хотя Toshiba будет не первой компанией, приступившей к массовому выпуску многоуровневой памяти. Еще в начале августа компания Samsung объявила о массовом производстве новой флэш-памяти NAND с емкостью 16 ГБ. В будущих микросхемах впервые в масштабах промышленности реализована технология объемного размещения ячеек в структуре 3D V-NAND. По утверждению Samsung, 3D V-NAND сможет позволить добиться увеличения емкости в 8 раз: к примеру, не 128 ГБ памяти оснастить ноутбук, а 1 ТБ. В Toshiba же заявили, что постройка нового цеха Fab 5 будет произведена таким образом, что на окружающую среду влияние будет минимальным. Планируется применение вторичных энергоресурсов, а также светодиодного освещения, облающего высокой энергоэффективностью. По подсчетам архитекторов, объем выбросов газов при работе нового цеха будет уменьшен на 13% по сравнению с показателем Fab 4. Помимо этого, планируется оснащение площадки защитой от землетрясений. Завершение строительства нового цеха планируется летом 2014 г., а массовое производство 3D-памяти – в 2015 г. |